[发明专利]一种脲基嘧啶酮分子修饰纳米硅的制备方法在审

专利信息
申请号: 202211470536.0 申请日: 2022-11-23
公开(公告)号: CN115692672A 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 任东风;文贵强;张喆;李玉峰;刘海东;陈涛;李新雨;王文齐 申请(专利权)人: 凯盛石墨碳材料有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;B82Y30/00;B82Y40/00;H01M10/0525
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 代理人: 马玲
地址: 617000 四川省攀枝*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 嘧啶 分子 修饰 纳米 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种脲基嘧啶酮分子修饰纳米硅的制备方法,其特征在于包括如下步骤:

(1)将2-氨基-6-(1-乙基戊基)-3H-嘧啶-4-酮和1,1-羰基二咪唑按摩尔比1:1~2进行混合,随后加入混合物体积5~10倍的三氯甲烷,在20~60℃下反应2~24h,制得异胞嘧啶异氰酸酯;

(2)将纳米硅分散于乙醇水溶液中,控制纳米硅与乙醇溶液的质量(g)体积比(mL)为1:48~53,随后加入乙醇水溶液体积0.2~0.3%的氨丙基三甲氧基硅烷,在20~70℃下反应2~24h,得到表面修饰氨基的纳米硅;

(3)将步骤(2)得到的表面修饰氨基的纳米硅分散于三氯甲烷中,控制表面修饰氨基的纳米硅与三氯甲烷的质量(g)体积比(mL)为0.4~0.6:30,随后加入表面修饰氨基的纳米硅质量8~12%异胞嘧啶异氰酸酯,在20~60℃下反应2~24h,得到脲基嘧啶酮分子修饰的纳米硅。

2.根据权利要求1所述一种脲基嘧啶酮分子修饰纳米硅的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)反应温度为35~50℃,反应时间为6-8h。

3.根据权利要求1所述一种脲基嘧啶酮分子修饰纳米硅的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)反应温度为30~60℃,反应时间为6-8h。

4.根据权利要求1所述一种脲基嘧啶酮分子修饰纳米硅的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)乙醇水溶液中乙醇和水的体积比为1~7:3~9。

5.根据权利要求1所述一种脲基嘧啶酮分子修饰纳米硅的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)反应温度为40~60℃,反应时间为4-6 h。

6.根据权利要求1所述一种脲基嘧啶酮分子修饰纳米硅的制备方法,其特征在于:所述脲基嘧啶酮分子修饰的纳米硅粒径为30-50nm。

7.根据权利要求1-6任一项所述一种脲基嘧啶酮分子修饰纳米硅的制备方法,其特征在于:所述脲基嘧啶酮分子修饰的纳米硅,其在纳米硅表面修饰氨基,利用氨基将脲基嘧啶酮分子修饰在硅纳米粒子表面。

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