[发明专利]一种CoFeSiB合金靶材及其制备方法在审
| 申请号： | 202211462235.3 | 申请日： | 2022-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN115747732A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 张俊飞;蔡新志;童培云;朱刘 | 申请（专利权）人： | 先导薄膜材料（广东）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C1/02;C22C19/07;C22F1/10;C22F1/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于磁记录靶材领域，具体公开一种CoFeSiB合金靶材及其制备方法。本发明所述CoFeSiB合金靶材，包括如下质量百分含量的元素组分：钴元素82‑88％，铁元素4‑6％，硅元素7‑9％，硼元素1‑3％。本发明所述CoFeSiB合金靶材成分均匀、准确，氧含量极低，晶粒尺寸均匀细小，靶材透磁率高，在后续应用中表现出良好的溅射效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cofesib 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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