[发明专利]一种CoFeSiB合金靶材及其制备方法

权利要求书

1.一种CoFeSiB合金靶材，其特征在于，包括如下质量百分含量的元素组分：钴元素82-88％，铁元素4-6％，硅元素7-9％，硼元素1-3％。

2.如权利要求1所述的CoFeSiB合金靶材，其特征在于，包括如下质量百分含量的元素组分：钴元素84.18％，铁元素5.09％，硅元素7.5％，硼元素2.19％。

3.权利要求1或2所述的CoFeSiB合金靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)配料：按所述CoFeSiB合金靶材中的元素组分及含量称取钴金属、铁金属、晶体硅和晶体硼进行配料，且称取晶体硼时，应当在所述CoFeSiB合金靶材中硼元素质量百分含量的基础上增加0.4-0.6％的3N的晶体硼，得到混合物料；

(2)熔炼：在惰性气体氛围下，将所述混合物料进行熔炼，将熔炼后的熔体降温至1250-1400℃，得到合金熔体；

(3)合金浇铸：先将浇铸模具加热至400-500℃，并在浇铸模具震动的情况下，将所述合金熔体浇铸到浇铸模具中，然后在浇铸模具中进行保温，再在浇铸模具外通过水对浇铸模具及合金熔体进行冷却，得到合金锭；

(4)退火：在真空条件下，将所述合金锭进行退火处理，得到所述CoFeSiB合金靶材。

4.如权利要求3所述的CoFeSiB合金靶材的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述熔炼的温度为1500-1600℃，所述熔炼的时间为5-20min。

5.如权利要求3所述的CoFeSiB合金靶材的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述保温的温度为400-500℃，所述保温的时间为10-40s。

6.如权利要求5所述的CoFeSiB合金靶材的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述保温的温度为400℃，所述保温的时间为30s。

7.如权利要求3所述的CoFeSiB合金靶材的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述退火处理的温度为200-800℃，所述退火的时间为2-6h。

8.如权利要求7所述的CoFeSiB合金靶材的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述退火处理的温度为300℃，所述退火的时间为4h。

9.如权利要求3所述的CoFeSiB合金靶材的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述晶体硅为50×50×10mm的4N晶体硅，所述的晶体硼为直径为5-10mm的3N晶体硼。

10.如权利要求3所述的CoFeSiB合金靶材的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，实现惰性气体氛围的步骤为：对熔炼体系抽真空，直至熔炼体系中的压力小于6×10^-2Pa，然后在熔炼体系中通入惰性气体直至熔炼体系的压力在0.6-0.8Mpa。