[发明专利]金属离子含量的测试方法在审
| 申请号： | 202211458975.X | 申请日： | 2022-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN115825210A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 章立鹏;冯大贵;曹春生;余鹏;李勇;余涛 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/626 | 分类号： | G01N27/626;G01N1/40;G01N1/32 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属离子含量的测试方法，提供再生晶圆，在再生晶圆上形成氧化层；利用非极性分子作为离子源形成的等离子体轰击再生晶圆上的氧化层，使得Si‑O键和Si‑Si键打开与非极性分子结合；将再生晶圆进行蚀刻，之后利用提取液滴在再生晶圆表面滚动，收集再生晶圆表面的金属成份；将提取液滴进行ICP‑MS分析，计算得到提取液滴中的金属成份含量。本发明的金属离子含量的测试方法解决了测试失败的问题，降低了金属离子测试成本，提升了机台复机效率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 离子 含量 测试 方法 | ||
【主权项】：
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