[发明专利]金属离子含量的测试方法

权利要求书

1.一种金属离子含量的测试方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供再生晶圆，在所述再生晶圆上形成氧化层；

步骤二、利用非极性分子作为离子源形成的等离子体轰击所述再生晶圆上的所述氧化层，使得Si-O键和Si-Si键打开与所述非极性分子结合；

步骤三、将所述再生晶圆进行蚀刻，之后利用提取液滴在所述再生晶圆表面滚动，收集所述再生晶圆表面的金属成份；

步骤四、将所述提取液滴进行ICP-MS分析，计算得到所述提取液滴中的金属成份含量。

2.根据权利要求1所述的金属离子含量的测试方法，其特征在于：步骤一中的所述再生晶圆的材料为硅。

3.根据权利要求1所述的金属离子含量的测试方法，其特征在于：步骤一中所述氧化层的材料为二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的金属离子含量的测试方法，其特征在于：步骤二中的所述非极性分子为Ar。

5.根据权利要求1所述的金属离子含量的测试方法，其特征在于：步骤三中所述将所述再生晶圆进行蚀刻的方法包括：将所述再生晶圆设于化学气相分解室中，之后利用HF蒸气蚀刻所述再生晶圆上的所述氧化层。

6.根据权利要求1所述的金属离子含量的测试方法，其特征在于：步骤三中的所述提取液滴为90-130μL的H2、H2O2、HF混合溶液。

7.根据权利要求1所述的金属离子含量的测试方法，其特征在于：步骤三中还包括通过内置一滴HF液滴的扫描头采用蚊香片螺纹的移动方式，从所述再生晶圆的中心开始，采用设定速率向所述再生晶圆转动，提取在所述再生晶圆表面的残留金属离子。

8.根据权利要求1所述的金属离子含量的测试方法，其特征在于：步骤三中所述对硅片进行刻蚀之前，还包括：将一个测试提取液滴滴在测试硅片的中心；使所述测试提取液滴在所述再生晶圆表面滚动，最后提将所述提取液滴进行ICP-MS分析，计算得到所述提取液滴中的金属成份含量。

9.根据权利要求4所述的金属离子含量的测试方法，其特征在于：步骤二中所述利用非极性分子作为离子源形成等离子体时，压力为5-20mt，温度为50-65℃，机台功率为350-500W，时间为2-8s。