[发明专利]一种氮化硅导热基板及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氮化硅导热基板及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，针对解决氮化硅导热基板高导热性能问题，通过新的原料和新制备方法实现氮化硅的高强高导热性能。具体步骤如下：将氮化硅镁、氢化钇、β‑Si3N4晶种和α‑Si3N4粉体按目标配比加入到球磨罐中，将无水乙醇作为介质，完成球磨混料、烘干、造粒，通过流延气压和热压烧结两种方式制备氮化硅导热基板。本发明的氮化硅导热基板，不仅导热性能达到≥80 W·(m·K)‑1，抗弯强度达到850MPa，且工艺简单，适用于高导热氮化硅、高致密度氮化硅和高硬度氮化硅等相关氮化硅材料制备和产品生产，可用于制备电动汽车逆变器（IGBT）及电子封装器件。