[发明专利]一种氮化硅导热基板及其制备方法

权利要求书

1.一种氮化硅导热基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将氮化硅镁、氢化钇、β-Si₃N₄晶种和α-Si₃N₄粉体混合，球磨，无水乙醇作为球磨介质，经制粒、流延成型、排胶、烧结及后处理的步骤，得到氮化硅导热基板；

或者将氮化硅镁、氢化钇、β-Si₃N₄晶种和α-Si₃N₄粉体按配比混合，球磨，无水乙醇作为球磨介质，经制粒、热压烧结成型、烧结及后处理的步骤，得到氮化硅导热基板。

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，氮化硅镁、氢化钇、β-Si₃N₄晶种和α-Si₃N₄粉体质量比为2-6:4-8:10:80。

3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，当采用流延成型时，采用喷雾制粒进行制粒，将制粒后的粉体放入含成型粘结剂的浆料中，搅拌混匀，流延成型。

4.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述成型粘结剂为聚丙烯醇缩甲醛和聚乙烯醇缩丁醛酯，添加量为物料总重量的8％。

5.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，当采用热压烧结成型时，采用机械震动或手工擦筛制粒方式进行制粒，将制粒后的粉体置于热压模具中，热压成型。

6.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述排胶为真空排胶处理、通入保护气氛排胶处理或空气炉排胶处理。

7.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，烧结温度为1650-2000℃。

8.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述后处理为根据氮化硅导热基板对外形尺寸的不同要求，进行机械加工。

9.一种氮化硅导热基板，其特征在于，由权利要求1-8任一项所述制备方法制备得到，原料包括氮化硅镁、氢化钇、β-Si₃N₄晶种和α-Si₃N₄粉体。