[发明专利]一种分栅沟槽MOSFET在审
| 申请号： | 202211422841.2 | 申请日： | 2022-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN115911130A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 丘展富 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯控源电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳力拓知识产权代理有限公司 44313 | 代理人： | 张小雪 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开的属于半导体器件技术领域，具体为一种分栅沟槽MOSFET,包括器件元胞单元，所述器件元胞单元包括第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区，在所述第一导电类型漂移区的上部设有第二导电类型阱区，第一导电类型漂移区内开设有介质槽和与介质槽连通的栅极沉淀槽，且介质槽中填充有高K氧化物，所述栅极沉淀槽内填充有沉淀栅极金属栅、包覆在沉淀栅极金属栅上的氧化层一、包覆在氧化层上的沉淀栅极碳化硅，本申请采用了碳化硅作为高K氧化物和沉淀栅极金属栅之间的邻接物，碳化硅可以确保自身和硅的热稳定性，为了防止现有沉淀栅极金属栅与高k栅氧化层之间的相互作用对阈值进行影响，从而提高了纳米尺寸MOSFET的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mosfet | ||
【主权项】：
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