[发明专利]一种分栅沟槽MOSFET在审
| 申请号： | 202211422841.2 | 申请日： | 2022-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN115911130A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 丘展富 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯控源电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳力拓知识产权代理有限公司 44313 | 代理人： | 张小雪 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mosfet | ||
1.一种分栅沟槽MOSFET,包括器件元胞单元，所述器件元胞单元包括第一导电类型衬底(2)及位于第一导电类型衬底(2)上的第一导电类型漂移区(1)，在所述第一导电类型漂移区(3)的上部设有第二导电类型阱区(9)，其特征在于：所述第一导电类型漂移区(1)内开设有介质槽(5)和与介质槽(5)连通的栅极沉淀槽，且介质槽(5)中填充有高K氧化物(4)，所述栅极沉淀槽内填充有沉淀栅极金属栅(8)、包覆在沉淀栅极金属栅(8)上的氧化层一(7)、包覆在氧化层(7)上的沉淀栅极碳化硅(6)。
2.根据权利要求1所述的一种分栅沟槽MOSFET，其特征在于：所述第二导电类型阱区(9)上设有第一导电类型源极区(10)，且第一导电类型漂移区(1)顶部两侧均开设有L形槽体，所述L形槽体、第二导电类型阱区(9)、第一导电类型源极区(10)上均设有P形埋层(12)。
3.根据权利要求1所述的一种分栅沟槽MOSFET，其特征在于：所述第一导电类型衬底(2)的下表面设置漏极金属(3)，所述漏极金属(3)与第一导电类型衬底(2)欧姆接触。
4.根据权利要求1所述的一种分栅沟槽MOSFET，其特征在于：对于N型MOSFET器件结构，所述第一导电类型为N型导电，所述第二导电类型为P形导电；对于P形MOSFET器件结构，所述第一导电类型为P形导电，所述第二导电类型为N型导电。
5.根据权利要求1所述的一种分栅沟槽MOSFET，其特征在于：所述栅极沉淀槽内壁与沉淀栅极碳化硅(6)之间设有氧化层二，且沉淀栅极碳化硅(6)与高K氧化物(4)之间也设有氧化层三。
6.根据权利要求1所述的一种分栅沟槽MOSFET，其特征在于：所述第二导电类型阱区(9)与栅极沉淀槽邻接。
7.根据权利要求1所述的一种分栅沟槽MOSFET，其特征在于：所述介质槽(5)的深度大于栅极沉淀槽的深度。
8.根据权利要求1所述的一种分栅沟槽MOSFET，其特征在于：所述栅极沉淀槽上覆盖有源级金属(11)，且源级金属(11)伸入栅极沉淀槽上部的延伸端与第一导电类型源级区(10)接触。
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