[发明专利]一种室温合成高熵合金掺杂钙钛矿纳米晶的制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 202211404735.1 申请日: 2022-11-10
公开(公告)号: CN115612492B 公开(公告)日: 2023-09-26
发明(设计)人: 王宁;孙继文;周建恒 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: C09K11/66 分类号: C09K11/66;B82Y20/00;B82Y40/00;H01L33/50
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 朱世林
地址: 130012 吉林省长春市*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明公开一种室温合成高熵合金掺杂钙钛矿纳米晶的制备方法与应用,具体涉及一种室温下合成铷银(Rb/Ag)双离子掺杂铯铅溴(CsPbBr3)纳米晶的方法,其制备过程是在室温下将碳酸铯(Cs2CO3)的辛酸溶液和溴化铷(RbBr)的甲苯溶液混合注入到含溴化银(AgBr)和溴化铅(PbBr2)的甲苯溶液中得到Rb/Ag双离子掺杂CsPbBr3纳米晶,通过离心洗涤获得尺寸分布均匀的纳米晶溶液。一方面,银对铅的替代有效降低了纳米晶中铅的含量,另一方面,铷和银的高熵合金化掺杂可以进一步提高纳米晶的稳定性。利用室温法制备Rb/Ag双离子掺杂CsPbBr3纳米晶工艺简便,合成条件简单,能够显著提高纳米晶的稳定性,同时制备出的发光二极管(LED)器件具有优越的光电性能,外量子效率可以达到12.99%。
搜索关键词: 一种 室温 合成 合金 掺杂 钙钛矿 纳米 制备 方法 应用
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