[发明专利]一种室温合成高熵合金掺杂钙钛矿纳米晶的制备方法与应用

权利要求书

1.一种合成CsPbBr₃纳米晶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1) 将溴化铅(PbBr₂)、溴化银(AgBr)和四正辛基溴化铵(TOAB)溶解在甲苯中，在室温下搅拌溶解，得到前驱体A；

2) 将碳酸铯(Cs₂CO₃)溶解在辛酸(OTAC)中，得到前驱体B；

3) 将溴化铷(RbBr)和TOAB溶解在甲苯中，在室温下搅拌溶解，得到前驱体C；

4) 将前驱体B和C的混合溶液滴加到前驱体A中，搅拌5 min；

5)将双十二烷基二甲基溴化铵(DDAB)的甲苯溶液滴加到上述混合溶液中，搅拌2 min，得到纳米晶粗溶液；

6) 将合成的纳米晶粗溶液经过三次离心洗涤得到颗粒均匀的CsPbBr₃纳米晶上清液，用于发光二极管(LED)器件制备。

2.如权利要求1所述的一种合成CsPbBr₃纳米晶的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述的前驱体A具体为：将41.3 mg的PbBr₂、1.0-3.0 mg的AgBr和122.9 mg的TOAB溶解到1.125ml的甲苯中。

3.如权利要求1所述一种合成CsPbBr₃纳米晶的制备方法，的前驱体B，其特征在于，步骤2)中所述的前驱体B具体为：将65.2 mg的Cs₂CO₃溶解在2 ml的辛酸中。

4.如权利要求1所述的一种合成CsPbBr₃纳米晶的制备方法，其特征在于，步骤3)中所述的前驱体C具体为：将16.54 mg的RbBr和54.6 mg的TOAB溶解在1 ml的甲苯中。

5.如权利要求1所述的一种合成CsPbBr₃纳米晶的制备方法，其特征在于，步骤4)中所述的前驱体B和C的混合溶液中，前驱体B的体积为0.125 ml，前驱体C的体积为0.01-0.04 ml。

6.如权利要求1所述的一种合成CsPbBr₃纳米晶的制备方法，其特征在于，步骤5)中所述的DDAB的甲苯溶液具体为：将30 mg的DDAB溶解在3 ml的甲苯中。

7.如权利要求1所述的一种合成CsPbBr₃纳米晶的制备方法，其特征在于，步骤6)中所述的三次离心洗涤中的第一次离心条件为在合成的CsPbBr₃纳米晶粗溶液中加入3 ml 乙酸乙酯，离心条件为10000 rpm，离心时间5 min。

8.如权利要求1所述的一种合成CsPbBr₃纳米晶的制备方法，其特征在于，步骤6)中所述的三次离心洗涤中的第二次离心条件为在沉淀中加入1 ml 甲苯，2 ml 乙酸乙酯，离心条件为10000 rpm，离心时间5 min。

9.如权利要求1所述的一种合成CsPbBr₃纳米晶的制备方法，其特征在于，步骤6)中所述的三次离心洗涤中的第三次离心条件为在沉淀中加入180 µL 甲苯，离心条件为1000-3000rpm，离心时间1 min。