[发明专利]一种微焦点X射线源阴极结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211403645.0 申请日: 2022-11-10
公开(公告)号: CN115662860A 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 夏斌;方琦;郑克亮;王积超;吴长征;谢毅 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: H01J9/02 分类号: H01J9/02;H01J35/06
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 林哲生
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种微焦点X射线源阴极结构及其制备方法,此方法形成的具有[100]晶向的二次区熔后的LaB6单晶,其电子发射稳定性好,在同样的电流密度下和钨丝相比,亮度更高、寿命更长;采用电化学腐蚀方法制备单晶LaB6尖端,其曲率半径为1μm左右,能产生高亮度的电子束,从而使得二次区熔后的LaB6单晶的发射性能远高于钨丝阴极的数十倍以上,其产生的X射线强度和成像质量都高于钨丝阴极;二次区熔后的LaB6单晶应用于Micro‑CT的X射线源上,不需要改变原有钨丝阴极电子枪结构和电源,就能打破热钨丝阴极因其发射电流小、亮度低、寿命短等缺点限制Micro‑CT系统性能,进而提升Micro‑CT的整体性能。
搜索关键词: 一种 焦点 射线 阴极 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学,未经中国科学技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211403645.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top