[发明专利]一种微焦点X射线源阴极结构及其制备方法

权利要求书

1.一种微焦点X射线源阴极结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

制备LaB₆烧结多晶棒；

将所述LaB₆烧结多晶棒作为第一上料棒，将与所述LaB₆烧结多晶棒直径相同的LaB₆单晶作为第一籽晶，进行第一次区熔得到一次区熔后的LaB₆单晶，其中所述第一籽晶固定在所述第一上料棒的下端轴；

将所述一次区熔后的LaB₆单晶作为第二上料棒，将[100]晶向的LaB₆单晶作为第二籽晶，进行第二次区熔得到二次区熔后的LaB₆单晶，其中所述第二籽晶固定在所述第二上料棒的下端轴，所述二次区熔后的LaB₆单晶具有[100]晶向；

采用电化学腐蚀方法对所述二次区熔后的LaB₆单晶进行处理形成单晶LaB₆尖端；

将具有所述单晶LaB₆尖端的所述二次区熔后的LaB₆单晶固定在支架上，形成微焦点X射线源阴极结构。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备LaB₆烧结多晶棒，包括：

将LaB₆粉末置于烧结炉中烧结获得所述LaB₆烧结多晶棒，所述LaB₆粉末的纯度大于或等于99.9％，所述LaB₆粉末的粒度的取值范围为300目-400目。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述将LaB₆粉末置于烧结炉中烧结获得所述LaB₆烧结多晶棒的环境条件包括：

所述烧结的温度为1000℃-1500℃，所述烧结的压力为10MPa-50MPa，所述烧结的保温时间为5min-30min，所述烧结的升温速率为100℃/min-200℃/min。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在石英管中进行第一次区熔，所述进行第一次区熔得到一次区熔后的LaB₆单晶，包括：

向所述石英管中通入氩气，将所述第一上料棒与所述第一籽晶反向旋转得到所述一次区熔后的LaB₆单晶，所述第一反向旋转的速度为15rpm-30rpm，所述第一次区熔的速度为20mm/h-30mm/h。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在石英管中进行第二次区熔，所述进行第二次区熔得到二次区熔后的LaB₆单晶，包括：

向所述石英管中通入氩气，将所述第二上料棒与所述第二籽晶反向旋转得到所述二次区熔后的LaB₆单晶，所述第二反向旋转的速度为15rpm-30rpm，所述第二区熔的速度为5mm/h-15mm/h。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述形成所述单晶LaB₆尖端之前，所述形成方法还包括：

将所述二次区熔后的LaB₆单晶切割成LaB₆单晶棒，并在所述LaB₆单晶棒的一端覆盖石蜡，所述LaB₆单晶棒的尺寸为Φ1mm*5mm。