[发明专利]一种浮栅场效应晶体管器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种二碲化钼薄片/铜铟硫代磷酸盐薄片/双金栅电极叠层结构浮栅场效应晶体管器件及其制备方法，具体是指将n型的二碲化钼(MoTe2)薄片、绝缘的铜铟硫代磷酸盐(CuInP2S6)薄片、双金(Au)栅电极依次接触形成垂直叠层结构。MoTe2薄片为晶体管沟道层，CuInP2S6薄片为晶体管介质层，双Au栅电极为晶体管浮栅层。利用MoTe2薄片与CuInP2S6薄片较为接近的电子亲和势，受光激发的MoTe2薄片其光生电子可有效穿过CuInP2S6薄片被注入到Au栅电极，形成局域的负栅压来调制MoTe2薄片的电导，实现光激发的浮栅场效应晶体管器件。