[发明专利]一种浮栅场效应晶体管器件及其制备方法

权利要求书

1.一种浮栅场效应晶体管器件，其特征在于，包括MoTe₂薄片、CuInP₂S₆薄片、双Au栅电极、Si衬底、源电极和漏电极；

所述Si衬底上具有SiO₂层，所述双Au栅电极间隔设置在所述SiO₂层上，所述Au栅电极夹设于所述SiO₂层和所述CuInP₂S₆薄片之间，所述CuInP₂S₆薄片的上方设置有所述MoTe₂薄片，所述MoTe₂薄片的一端与所述源电极相连，MoTe₂薄片的另一端与所述漏电极相连。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述MoTe₂薄片为感光材料和导电沟道材料，所述CuInP₂S₆薄片为介质材料，所述双Au栅电极为浮栅层，所述源电极和漏电极用于收集所述MoTe₂薄片的电信号。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述SiO₂层的厚度为285nm。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述Au栅电极包括钛层和金层，所述钛层夹设于所述金层和所述SiO₂层之间。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述Au栅电极的引出线从所述SiO₂层和所述CuInP₂S₆薄片之间伸出。

6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述源电极接地，所述源电极和所述漏电极的偏压为0V。

7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述源电极和所述漏电极之间串联有电流检测单元。

8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述双Au栅电极的第一Au栅电极通过第一开关接地，所述第一开关用于改变所述第一Au栅电极的接地状态；所述双Au栅电极的第二Au栅电极通过第二开关接地，所述第二开关用于改变所述第二Au栅电极的接地状态。

9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述器件的工作模式包括以下至少一项：

所述第一Au栅电极接地、所述第二Au栅电极不接地，所述器件用于指示-1；

所述第一Au栅电极不接地、所述第二Au栅电极接地，所述器件用于指示1；

所述第一Au栅电极不接地、所述第二Au栅电极不接地，所述器件用于指示0；

所述第一Au栅电极接地、所述第二Au栅电极接地，所述器件用于指示0。

10.一种浮栅场效应晶体管器件的制备方法，其特征在于，包括：

(1)利用电子束光刻技术、热蒸镀金属电极在Si衬底的SiO₂层上制备双Au栅电极；

(2)采用机械剥离的方法在PDMS膜上制备CuInP₂S₆薄片，并将其物理转移到双Au栅电极上；

(3)采用机械剥离的方法在PDMS膜上制备MoTe₂薄片，并将其物理转移到CuInP₂S₆薄片上；

(4)利用电子束光刻技术、热蒸镀金属电极在MoTe₂薄片上制备源电极和漏电极，得到MoTe₂薄片-CuInP₂S₆薄片-双Au栅电极叠层结构浮栅场效应晶体管器件。