[发明专利]基带芯片缓存结构读写控制方法及基带芯片缓存结构在审
| 申请号： | 202211379600.4 | 申请日： | 2022-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN115757209A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 黄雄科;刘琳童;陈晓杰;杨罕;李正卫 | 申请（专利权）人： | 深圳智微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/0877 | 分类号： | G06F12/0877;G06F12/084;G06F5/06;G06F15/78 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区西丽街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于电力线载波通信技术领域，具体涉及一种基带芯片缓存结构读写控制方法及基带芯片缓存结构，包括：接收通信报文数据，并缓存至多bank缓存单元；若通信报文数据为前导数据，则从多bank缓存单元读出前导数据，直到前导数据读取完毕；依据获取的当前的多bank缓存单元被访问的读、写指针所在的bank序列号，将多bank缓存单元划分为共享缓存模块和包含未读取的通信报文数据的循环缓存模块；循环缓存模块用于循环存储后续的通信报文数据；共享缓存模块用于供外部模块读、写访问；分别控制共享缓存模块和循环缓存模块被读写访问。由此，本发明解决了基带芯片缓存存储体大、功耗大以及性能差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基带 芯片 缓存 结构 读写 控制 方法 | ||
【主权项】：
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