[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202211375150.1 | 申请日： | 2022-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN116266988A | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张志熏;金东完;朴桐湜 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 程丹辰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：衬底，具有在第一方向上彼此相邻的有源单元区和界面区；在衬底的有源单元区上的位线，在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及在衬底的界面区上的位线垫，在第二方向上彼此间隔开。每个位线包括在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开的第一位线和第二位线、将第一位线的第一端连接到第二位线的第二端的连接部、以及将位线垫中的一个连接到第一位线、第二位线和连接部中的一个的联接部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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