[发明专利]一种热隔离MEMS芯片制备方法及其结构在审
| 申请号： | 202211341951.6 | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN115893302A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 王鹏;王文婧;赵娟;赵斌;刘武博 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;B81B7/00 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233030 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种热隔离MEMS芯片制备方法及其结构，它包括取硅晶圆，在硅晶圆上设置第一、二隔热介质膜，在硅晶圆背面通过多步骤制备出连通的槽体和内腔，从而形成上端与第二隔热介质膜连通的变径孔，从而完成小型化MEMS隔热芯片结构的制备。提供一种开口小、内腔大的小型化MEMS热隔离芯片结构及制备方法，该结构在保持芯片面积较小的情况下，降低对加工设备能力的要求，工艺简单，适用于MEMS隔热型芯片的最终设计制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 mems 芯片 制备 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
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