[发明专利]一种热隔离MEMS芯片制备方法及其结构

权利要求书

1.一种热隔离MEMS芯片制备方法，其特征在于：它包括以下步骤：S1、取硅晶圆（1），在硅晶圆（1）的正、背两面分别制备有第一、二隔热介质膜（2、3）；

S2、在硅晶圆（1）背面形成一定深度的槽体（4）；

S3、硅晶圆（1）正、背两面上分别制备有氧化层（5），位于硅晶圆1背面的氧化层（5）覆盖槽体（4）的侧壁和底面；

S4、去除硅晶圆（1）下表面和槽体（4）底面的氧化层（5），保留槽体（4）侧壁上的氧化层（5）；

S5、硅晶圆1进行湿法腐蚀，从槽体（4）底面向内腐蚀出内腔（6），内腔（6）顶部开口与第一隔热介质膜（2）相连；

S6、对S5步骤加工好的晶圆正面进行涂胶保护，进行湿法腐蚀去除槽体（4）侧壁上的氧化层（5），完成小型化MEMS隔热芯片结构的制备。

2.根据权利要求1中所述一种热隔离MEMS芯片制备方法，其特征在于：所述S1中的第一、二隔热介质膜（2、3）为氧化层或氮化硅，且第一、二隔热介质膜材质不同。

3.根据权利要求1中所述一种热隔离MEMS芯片制备方法，其特征在于：所述S5中湿法腐蚀采用的溶液为KOH溶液或TMAH溶液。

4.根据权利要求1中所述一种热隔离MEMS芯片制备方法，其特征在于：所述S5中湿法腐蚀采用的溶液为BOE溶液。

5.采用权利要求1制备所得的一种热隔离MEMS芯片结构，它包括硅晶圆（1），其特征在于：硅晶圆（1）正面和背面上都依次设有第一隔热介质膜（2）和第二隔热介质膜（3），在硅晶圆（1）正面的第二隔热介质膜（3）上设有氧化层（5），在硅晶圆（1）背面上设有变径孔（7），变径孔（7）的顶部开口与硅晶圆（1）正面的第一隔热介质膜（2）连通。

6.根据权利要求5中所述一种热隔离MEMS芯片制备方法，其特征在于：所述变径孔（7）顶部开口的直径小于变径孔（7）底端开口的直径，变径孔（7）中部的直径又大于变径孔（7）底端开口的直径。