[发明专利]一种沟槽型分裂栅IGBT在审
| 申请号： | 202211326158.9 | 申请日： | 2022-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN115799328A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 邓高强;王俊 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326 | 代理人： | 潘素云 |
| 地址： | 410000 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型分裂栅IGBT，包括：N型半导体衬底；形成于N型半导体衬底表面的N型掺杂层；形成于N型掺杂层表面的P阱层；形成于P阱层表面的高掺杂N+发射区和高掺杂P+发射区；在垂直方向上贯穿P阱层且底部位于N型半导体衬底内的沟槽；形成于沟槽底部的P型屏蔽区；形成于N型半导体衬底背面的P型集电区；沟槽沿器件垂直方向上具有分离的第一导电材料和第二导电材料，第一导电材料和第二导电材料分别由绝缘介质包裹；P+发射区在水平方向上与沟槽接触，且与第二导电材料在纵向方向上相交叠；N+发射区在水平方向上与沟槽接触，且与第一导电材料在纵向方向上相交叠。可降低IGBT的饱和电流，最终实现更宽正向安全区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 分裂 igbt | ||
【主权项】：
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