[发明专利]一种基于磁阻效应的磁场传感器在审
| 申请号： | 202211320646.9 | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN115697024A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 李伟;张巨峰 | 申请（专利权）人： | 中科伟博（苏州）智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N52/80;G01R33/09 |
| 代理公司： | 成都市壹为知识产权代理事务所(普通合伙) 51378 | 代理人： | 高毅颖 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市张家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及磁传感器技术领域，且公开了一种基于磁阻效应的磁场传感器，包括二氧化硅衬底、四个磁阻单元和四个外接端口，四个所述磁阻单元采用barber电极结构并固定粘附在二氧化硅衬底的表面，四个所述磁阻单元呈上下两层且同层相邻的两组磁阻单元相互对称，四个所述磁阻单元组合成惠斯通电桥结构，其中一对磁阻单元设置有相同的磁化方向，另一对磁阻单元设置有相反的磁化方向，四个所述磁阻单元中每相邻的两个磁阻单元之间都连接有一个外接端口，由于外界磁场变化分别引起两对磁阻单元电阻的增大和减小，通过测量其产生的差分电压信号从而反映磁场的大小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁阻 效应 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中科伟博（苏州）智能科技有限公司，未经中科伟博（苏州）智能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211320646.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
