[发明专利]一种基于磁阻效应的磁场传感器

权利要求书

1.一种基于磁阻效应的磁场传感器，其特征在于：包括二氧化硅衬底(1)、四个磁阻单元(2)和四个外接端口(3)，四个所述磁阻单元(2)采用barber电极结构并固定粘附在二氧化硅衬底(1)的表面，四个所述磁阻单元(2)呈上下两层且同层相邻的两组磁阻单元(2)相互对称，四个所述磁阻单元(2)组合成惠斯通电桥结构，其中一对磁阻单元(2)设置有相同的磁化方向，另一对磁阻单元(2)设置有相反的磁化方向，四个所述磁阻单元(2)中每相邻的两个磁阻单元(2)之间都连接有一个外接端口(3)。

2.根据权利要求1所述的一种基于磁阻效应的磁场传感器，其特征在于：所述磁阻单元(2)呈拐角为直角的横向U形状，且磁阻单元(2)由条状电极(4)和条状二维材料制作而成的磁阻薄膜(5)组成。

3.根据权利要求2所述的一种基于磁阻效应的磁场传感器，其特征在于：所述二维材料包括但不限于Cr1.2Te2。

4.根据权利要求1所述的一种基于磁阻效应的磁场传感器，其特征在于：所述二氧化硅衬底(1)、磁阻单元(2)和外接端口(3)组成的磁场传感器的设计包括以下步骤：

S1：根据磁传感器应用场合及安装要求以及所测磁场的分布情况确定合适的二氧化硅衬底(1)的长度，宽度，厚度以及构型；

S2：进行磁阻单元(2)的设计，其中每个磁阻单元(2)采用barber电极结构，由条状电极(4)和条状二维材料制作的磁阻薄膜(5)组成，利用四个磁阻单元(2)组合成惠斯通电桥结构，确定两对磁阻单元(2)内部磁化方向；

S3：在一定范围的磁场下，考虑磁阻传感器内部电流方向的选定，同时也确定外接端口(3)的安装位置，同时研究其输出电压信号随外部磁场变化的关系以此来增加磁传感器测量的线性度及灵敏度。