[发明专利]一种适用于金刚石生长的基片台及其使用方法

摘要

本发明涉及适用于金刚石生长的基片台，包括：水冷基座、基片托、限位环、限高环和定位升降连接件，基片托设置在水冷基座上；限位环设置于水冷基座上，且环绕着基片托；限高环同轴布置在限位环的上方，限位环与限高环通过多个定位升降连接件相连；限高环比基片托上所放置的基片的生长面高。控制限高环的上表面与基片生长面的距离，减小金刚石在生长的过程中，边缘区域的生长状态与其他区域生长状态的差异，促进金刚石厚单晶和多晶金刚石厚膜的生长，提高金刚石批量生长及大面积沉积的生产进度。