[发明专利]一种带低温漏电补偿的MOS管温度传感器有效
| 申请号： | 202211318367.9 | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN115437447B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 宁宁;陈东键;张艺馨;张天赐;杨璐含;李靖;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于模拟集成电路领域，涉及集成电路中的温度传感器，具体为一种带低温漏电补偿的MOS管温度传感器。本发明利用亚阈值区工作的MOS管进行感温，减小电路的功耗；并通过设定第一MOS管M1和第二MOS管M2类型一致，且M1的宽长比远大于M2的宽长比，从而保证输出电流的量级，实现低温补偿模块补偿MOS管的低温漏电，提高了低温下的感温线性度，从而拓宽了MOS管温度传感器的感温范围。本发明电路的结构简单，降低了面积，工作温度范围大，有利于集成在芯片的功能模块内部。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 漏电 补偿 mos 温度传感器 | ||
【主权项】：
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