[发明专利]一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202211316068.1 | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN115697023A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 王晓蕾;崔帅楠;杨倩倩;尚紫璇 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;H10N50/85;H10B61/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制备方法与应用。本发明自旋轨道矩磁阻式随机存储器，包括：衬底和在衬底上依次层叠的非共线反铁磁层和磁阻隧道结；其中，磁阻隧道结包括由下至上依次层叠的遂穿层和铁磁性层。本发明制备方法中，采用磁控溅射方法依次形成非共线反铁磁层的材料层、磁阻隧道结的各材料层，对各材料层采用光刻技术和电子束曝光技术进行图案化，形成非共线反铁磁层以及磁阻隧道结，即得到自旋轨道矩磁阻式随机存储器。本发明当电流通入具有应力梯度的非共线反铁磁层中，将产生自旋轨道耦合，从而改变非共线反铁磁层的的磁矩方向，实现隧道结的无外场写入功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自旋 轨道 磁阻 随机 存储器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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