[发明专利]一种用于红外雪崩探测芯片的激光退火装置及其检测方法在审
申请号: | 202211314394.9 | 申请日: | 2022-10-25 |
公开(公告)号: | CN115602751A | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 徐鹏飞;王岩 | 申请(专利权)人: | 江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/18;H01L31/20;H01L21/268;H01L21/67;H01L21/66;G01R31/265;G01R31/28 |
代理公司: | 江苏长德知识产权代理有限公司 32478 | 代理人: | 景凤娌 |
地址: | 221000 江苏省徐州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于红外雪崩探测芯片的激光退火装置及其检测方法,涉及半导体技术领域,包括激光光源、连续光衰减片、分光镜、透镜、红外雪崩探测芯片、光功率计、电压电流源和计算机;利用激光进行退火可以选择性的对芯片进行局部退火,不影响电极与材料的欧姆接触,同时激光的波长及能量可以调节,可以对不同的吸收层材料进行有选择性的退火;主要针对探测芯片的吸收层材料进行选择性退火,同时选择的激光波长通过衰减至合适范围,可以对探测芯片的光响应性能进行检测,达到对退火效果的监测。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 红外 雪崩 探测 芯片 激光 退火 装置 及其 检测 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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