[发明专利]一种用于红外雪崩探测芯片的激光退火装置及其检测方法

权利要求书

1.一种用于红外雪崩探测芯片的激光退火装置，其特征在于，包括激光光源(1)、连续光衰减片(2)、分光镜(3)、透镜(4)、红外雪崩探测芯片(5)、光功率计(6)、电压电流源(7)和计算机(8)；

所述激光光源(1)经过连续光衰减片(2)经透镜(4)聚焦照射在所述红外雪崩探测芯片(5)表面，用于对所述红外雪崩探测芯片(5)的吸收层材料进行退火；

所述光功率计(6)用于对激光光源(1)的强度进行监测；

所述连续光衰减片(2)用于将激光强度衰减至所述红外雪崩探测芯片(5)的线性响应范围；

所述电压电流源(7)用于测量所述红外雪崩探测芯片(5)的电压电流曲线；

所述计算机(8)用于采集电压电流曲线，获得所述红外雪崩探测芯片(5)的光响应信息。

2.根据权利要求1所述的一种用于红外雪崩探测芯片的激光退火装置，其特征在于，所述激光光源(1)的波长为1310nm或1550nm，光谱半高宽范围为0.01nm－10nm，输出最大光功率＞1mW。

3.根据权利要求2所述的一种用于红外雪崩探测芯片的激光退火装置，其特征在于，所述连续光衰减片(2)为中性衰减片，衰减波长范围处于为300nm－2000nm，衰减倍数在10^-6～1内连续可调。

4.根据权利要求3所述的一种用于红外雪崩探测芯片的激光退火装置，其特征在于，所述分光镜(3)的反射透射比为1：1，波长范围为300nm－2000nm。

5.根据权利要求4所述的一种用于红外雪崩探测芯片的激光退火装置，其特征在于，所述红外雪崩探测芯片(5)，其吸收层为In_0.47Ga_0.43As材料，电荷层与倍增层为In_0.48Al_0.42As材料。

6.根据权利要求5所述的一种用于红外雪崩探测芯片的激光退火装置，其特征在于，所述光功率计(6)检测波长范围为300nm－2000nm，功率范围为0.01μW－1W。

7.根据权利要求6所述的一种用于红外雪崩探测芯片的激光退火装置，其特征在于，所述电压电流源(7)电流检测范围为10^-15A～10A。

8.一种利用如权利要求1－7任一项所述的用于红外雪崩探测芯片的激光退火装置的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一：将激光光源(1)经过连续光衰减片(2)并经透镜(4)聚焦照射在所述红外雪崩探测芯片(5)表面，对所述红外雪崩探测芯片(5)的吸收层材料进行退火；

步骤二：利用光功率计(6)对激光光源(1)的强度进行监测；

步骤三：利用连续光衰减片(2)将激光强度衰减至红外雪崩探测芯片(5)的线性响应范围；

步骤四：利用电压电流源(7)测量所述红外雪崩探测芯片(5)的电压电流曲线，并利用计算机(8)采集电压电流曲线，获得红外雪崩探测芯片(5)的光响应信息；

步骤五：通过对比退火前后的光响应信息，可以达到对激光退火效果的监测。