[发明专利]一种嵌入式沟道的可重构场效应晶体管在审
| 申请号： | 202211278461.6 | 申请日： | 2022-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN115881822A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 孙亚宾;汪超;石艳玲;李小进 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种嵌入式沟道的可重构场效应晶体管，包括水平排列的鳍式沟道、水平或垂直排列的纳米片沟道或水平或垂直排列的纳米线沟道，包裹沟道的栅极氧化物，在栅极氧化物外侧的关于器件中线对称的控制栅极和极性栅极，在控制栅极与极性栅极的之间、包裹栅极氧化物的栅极隔离层，在控制栅极左侧、包裹沟道的源边墙，在极性栅极右侧、包裹沟道的漏边墙，在边墙两侧的、每条沟道两端伸入其中约1/14沟道长度的源、漏，以及在器件底部的衬底。本发明与普通非嵌入式沟道的可重构场效应晶体管相比，向源内部延伸的沟道增加了源与沟道的接触面积，开态电流提升。在关断时，关态电流基本保持不变，故有更为理想的电流开关比和逻辑响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 沟道 可重构 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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