[发明专利]一种嵌入式沟道的可重构场效应晶体管

权利要求书

1.一种嵌入式沟道的可重构场效应晶体管，其特征在于，它包括：

数条水平或垂直排列的沟道（1）；

设于数条沟道（1）一端的、每条沟道伸入其中1/14沟道长度的源（2）；

设于数条沟道（1）另一端的、每条沟道伸入其中1/14沟道长度的漏（3）；

包裹在各沟道（1）外侧的栅极氧化物（4）；

对称设置且包裹在栅极氧化物（4）外侧的控制栅极（5）和极性栅极（6）；

包裹在栅极氧化物（4）外侧、在控制栅极（5）与极性栅极（6）之间的栅极隔离（7）；

设置于控制栅极（5）和源（2）之间的、包裹沟道（1）的源边墙（8）；

设置于极性栅极（6）和漏（3）之间的、包裹沟道（1）的漏边墙（9）；

设于上述结构底部的衬底（10）。

2.根据权利要求1所述的嵌入式沟道的可重构场效应晶体管，其特征在于，所述沟道（1）为鳍式硅、鳍式锗、鳍式锗硅、鳍式砷化镓、鳍式氧化锌、硅纳米片、锗纳米片、锗硅纳米片、砷化镓纳米片、氧化锌纳米片、硅纳米线、锗纳米线、锗硅纳米线、砷化镓纳米线或氧化锌纳米线；

所述源（2）和漏（3）材料为钛硅化物、镍硅化物、钴硅化物、氮化钛和氮化钽中的一种或几种组合；

所述栅极氧化物（4）材料为二氧化硅或二氧化铪；

所述控制栅极（5）和极性栅极（6）为光刻、刻蚀后形成的铝、铜、多晶硅或氮化钛；

所述栅极隔离（7）的材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、二氧化铪、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃；

所述源边墙（8）和漏边墙（9）的材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃；

所述衬底（10）为体硅、绝缘层上硅或绝缘层上锗。

3.根据权利要求1所述的嵌入式沟道的可重构场效应晶体管，其特征在于，所述沟道（1）伸入源（2）、漏（3）的长度小于源（2）、漏（3）的长度；所述沟道（1）伸入源（2）、漏（3）内的高度与包裹在栅极氧化物内的沟道高度相同；所述栅极隔离（7）、控制栅极（5）、极性栅极（6）的高度相等。