[发明专利]一种高磁性能FeGaB磁电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202211272213.0 | 申请日： | 2022-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN115612988A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 徐德超;赖金明;林亚宁;陈铭;李俊 | 申请（专利权）人： | 西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所） |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/06;H01F10/14 |
| 代理公司： | 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙) 51235 | 代理人： | 杨金涛 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高磁性能FeGaB磁电薄膜的制备方法，属于磁电薄膜材料技术领域，以FeGa靶材和B靶材为原材料，使用脉冲激光沉积方法，由FeGa靶材和B靶材交替沉积获得，本发明制得的薄膜具有结晶程度高，矫顽力低，粗糙度小的优点，从而能够满足后续的新式磁电器件应用需求，提高后续制作的磁致伸缩/压电器件的磁致伸缩能力和磁电耦合系数，满足应用条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 fegab 磁电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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