[发明专利]一种高磁性能FeGaB磁电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202211272213.0 | 申请日： | 2022-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN115612988A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 徐德超;赖金明;林亚宁;陈铭;李俊 | 申请（专利权）人： | 西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所） |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/06;H01F10/14 |
| 代理公司： | 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙) 51235 | 代理人： | 杨金涛 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 fegab 磁电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高磁性能FeGaB磁电薄膜的制备方法，其特征在于：以FeGa靶材和B靶材为原材料，使用脉冲激光沉积方法，由FeGa靶材和B靶材交替沉积获得。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述交替沉积方法为：每轮先所述FeGa靶材打靶60-75次，然后所述B靶材打靶20-26次。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述交替沉积方法为：每轮先所述FeGa靶材打靶75次，然后所述B靶材打靶26次。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述脉冲激光沉积的工作气体为KrF。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述脉冲激光沉积过程中，样品自转速率95-100 °/s，靶材自转速率25-35°/s。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述脉冲激光沉积过程中，样品自转速率97 °/s，靶材自转速率31°/s。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述脉冲激光沉积过程中，激光频率5-10Hz，激光能量60-75 mJ。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述脉冲激光沉积过程中，激光频率10Hz，激光能量75 mJ。
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