[发明专利]一种抗饱和磁芯元件的制备方法在审
| 申请号： | 202211267880.X | 申请日： | 2022-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN115547665A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 徐可心 | 申请（专利权）人： | 宁波中益赛威材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 党蕾 |
| 地址： | 315200 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种抗饱和磁芯元件的制备方法，属于电感元件技术领域，包括：对预制磁环进行等离子清洗机处理，并进行表面蚀刻；对清洗后的预制磁环进行定型及退火处理；退火后，对预制磁环进行等离子喷涂处理，形成磁芯元件。有益效果：本发明通过对预制磁环进行等离子清洗处理，以激发非晶或纳米晶带材的自由电子数量，从而增加磁性材料的玻尔磁子数的比例，进而提高磁性材料的饱和磁感应强度Bs；预制磁环在等离子清洗机处理时，对其表面进行蚀刻，造成表面不平整，有利于后面对预制磁环进行等离子喷涂工艺；采用本发明提供的磁芯元件的制备方法，提高了磁芯元件的抗饱和能力，缩小了磁芯元件的体积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 饱和 元件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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