[发明专利]监控光刻机曝光平台平整度的方法在审

专利信息
申请号: 202211244819.3 申请日: 2022-10-12
公开(公告)号: CN115561973A 公开(公告)日: 2023-01-03
发明(设计)人: 费志平;姚振海;李玉华;姜冒泉;郭超 申请(专利权)人: 华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 崔莹
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种监控光刻机曝光平台平整度的方法,包括:对裸晶圆进行前层制备;利用套刻量测光罩,在需要监控的光刻机上对测试晶圆进行曝光;量测测试晶圆上阵列式排布的所有曝光区域的当前层套刻标记与前一层套刻标记的套刻偏移量;判断量测到的所述套刻偏移量是否位于预设的偏移量阈值区间内来判定光刻机曝光平台平整度是否存在异常。本申请通过对形成有前层标记的测试晶圆进行曝光,量测测试晶圆上所有曝光区域的套刻偏移量,根据套刻偏移量判定光刻机曝光平台平整度是否存在异常,一方面可以在线监控曝光平台的平整度,节省了人力及机台产能,另一方面通过套刻量测可以精确地监控曝光工件台的异常区域以及平整度异常数据。
搜索关键词: 监控 光刻 曝光 平台 平整 方法
【主权项】:
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