[发明专利]监控光刻机曝光平台平整度的方法

权利要求书

1.一种监控光刻机曝光平台平整度的方法，其特征在于，包括：

提供一裸晶圆，对所述裸晶圆进行前层制备以得到一测试晶圆；

利用套刻量测光罩，在需要监控的光刻机上对所述测试晶圆进行曝光，其中，所述套刻量测光罩上设计有多组套刻标记图形；

建立套刻量测菜单，量测所述测试晶圆上阵列式排布的所有曝光区域的当前层套刻标记与前一层套刻标记的套刻偏移量；

判断量测到的所述套刻偏移量是否位于预设的偏移量阈值区间内，若所述套刻偏移量超出所述偏移量阈值区间时，则判定光刻机曝光平台平整度存在异常；若所述套刻偏移量位于所述偏移量阈值区间内，则判定光刻机曝光平台平整度未出现异常。

2.根据权利要求1所述的监控光刻机曝光平台平整度的方法，其特征在于，所述提供一裸晶圆，对所述裸晶圆进行前层制备以得到一测试晶圆的步骤包括：

利用所述套刻量测光罩，对所述裸晶圆进行曝光，将套刻标记图形转印至所述裸晶圆上以得到一测试晶圆。

3.根据权利要求2所述的监控光刻机曝光平台平整度的方法，其特征在于，利用所述套刻量测光罩，在已知平整度无异常的光刻机上对所述裸晶圆进行曝光，将套刻标记图形转印至所述裸晶圆上。

4.根据权利要求3所述的监控光刻机曝光平台平整度的方法，其特征在于，在曝光菜单里调整所述套刻标记的偏移量，并利用所述套刻量测光罩，在需要监控的光刻机上对所述测试晶圆进行曝光，将所述测试晶圆上各个曝光区域的当前层套刻标记与前一层套刻标记套起来。

5.根据权利要求1所述的监控光刻机曝光平台平整度的方法，其特征在于，所述套刻量测光罩上设计有m行n列的阵列式排布的套刻标记图形，其中，m为大于或者等于8的整数，n为大于或者等于7的整数。

6.根据权利要求1所述的监控光刻机曝光平台平整度的方法，其特征在于，所述套刻量测光罩上的套刻标记图形曝光在所述裸晶圆和/或所述测试晶圆上各个曝光区域内。

7.根据权利要求1所述的监控光刻机曝光平台平整度的方法，其特征在于，所述测试晶圆上各个曝光区域的当前层套刻标记与前一层套刻标记的套刻偏移量均包括：X方向的套刻偏移量和Y方向的套刻偏移量。

8.根据权利要求1所述的监控光刻机曝光平台平整度的方法，其特征在于，预设的所述偏移量阈值区间的上限临界值为3*套刻精度的离散度；预设的所述偏移量阈值区间的下限临界值为-3*套刻精度的离散度。

9.根据权利要求1所述的监控光刻机曝光平台平整度的方法，其特征在于，在判断量测到的所述套刻偏移量是否位于预设的偏移量阈值区间内，若所述套刻偏移量超出所述偏移量阈值区间时，则判定光刻机曝光平台平整度存在异常之后，所述监控光刻机曝光平台平整度的方法还包括：

调取所述测试晶圆的OVL map，确认光刻机曝光平台平整度异常的区域以及异常严重程度。

10.根据权利要求9所述的监控光刻机曝光平台平整度的方法，其特征在于，在调取所述测试晶圆的OVL map，确认光刻机曝光平台平整度异常的区域以及异常严重程度之后，所述监控光刻机曝光平台平整度的方法还包括：

令曝光平台平整度存在异常的光刻机停止批量光刻作业，提供一超平片，利用光刻机的平整度测量系统获取所述超平片的EMWC map，进一步确认光刻机曝光平台平整度异常的区域以及异常严重程度。