[发明专利]一种基于半导体纳米线介导的光纤-芯片耦合结构在审
| 申请号： | 202211231989.8 | 申请日： | 2022-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN115657223A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 郭欣;金莹莹;杨柳;黄奕舒;杨宇鑫;王攀;戴道锌;童利民 | 申请（专利权）人： | 浙江大学嘉兴研究院;浙江大学 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42;G02B6/02;G02B6/12;G02B6/122 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 李亦慈;唐银益 |
| 地址： | 314031 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于半导体纳米线介导的光纤‑芯片耦合结构，基于绝热耦合方法，将由标准光纤一端拉成锥形微纳光纤和高折射率的直径渐变半导体纳米线较细端连接耦合形成复合结构，缝隙由少量聚合物填充，并用此复合结构中直径渐变半导体纳米线较粗端和芯片上的锥形硅波导贴合耦合，从而实现高耦合效率、宽带宽、偏振不敏感的标准光纤和片上集成光波导之间的双向耦合。利用该方法可以实现高耦合效率、宽带宽、偏振不敏感的标准光纤和片上集成光波导之间的双向耦合，整个耦合结构稳定，该耦合结构适用于光纤和各种片上器件的耦合，利于实现传统光学器件和片上光学器件的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 半导体 纳米 线介导 光纤 芯片 耦合 结构 | ||
【主权项】：
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