[发明专利]一种预烧贫锂工艺制备低钴无钴正极材料的方法及其应用在审

专利信息
申请号: 202211204549.3 申请日: 2022-09-29
公开(公告)号: CN115974172A 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 孙旭;陆和杰;梁正;万辉;郭晓旭;李海强;吴平 申请(专利权)人: 宁夏汉尧富锂科技有限责任公司
主分类号: C01G53/00 分类号: C01G53/00;H01M4/36;H01M4/505;H01M4/525
代理公司: 上海微策知识产权代理事务所(普通合伙) 31333 代理人: 肖烜
地址: 750021 宁夏回族*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 发明涉及三元正极材料合成技术领域,具体为一种预烧贫锂工艺制备低钴无钴正极材料的方法剂及其应用。通过设计预烧工艺,尤其是控制预烧工艺的条件为:以4‑6℃/min的升温速率升温至300℃‑750℃,预烧时间为3h‑24h;使前驱体有足够的时间吸附氧并更容易与锂源反应,三元正极材料更易达到锂化,且有效避免了剧烈的反应温度导致的锂源损失问题,实现使用更少的锂源,而获得同等水平的电化学性能。
搜索关键词: 一种 预烧贫锂 工艺 制备 低钴无钴 正极 材料 方法 及其 应用
【主权项】:
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