[发明专利]一种预烧贫锂工艺制备低钴无钴正极材料的方法及其应用在审
| 申请号： | 202211204549.3 | 申请日： | 2022-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN115974172A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 孙旭;陆和杰;梁正;万辉;郭晓旭;李海强;吴平 | 申请（专利权）人： | 宁夏汉尧富锂科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C01G53/00 | 分类号： | C01G53/00;H01M4/36;H01M4/505;H01M4/525 |
| 代理公司： | 上海微策知识产权代理事务所(普通合伙) 31333 | 代理人： | 肖烜 |
| 地址： | 750021 宁夏回族*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 预烧贫锂 工艺 制备 低钴无钴 正极 材料 方法 及其 应用 | ||
1.一种预烧贫锂工艺制备低钴无钴正极材料的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
(1)将前驱体与锂源按金属比进行高速混合得到混合料；
(2)将混合料全部装钵后于空气氛围中，进行预烧工艺，待物料自然冷却后进行机械破碎得预烧料；
(3)将预烧料装钵后于空气氛围中，进行再次焙烧，待自然冷却后即得。
2.根据权利要求1所述的预烧贫锂工艺制备低钴无钴正极材料的方法，其特征在于，所述步骤(1)中前驱体含有金属元素镍、钴、锰；所述镍、钴、锰的来源为金属氢氧化物、金属碳酸盐、金属氧化物、金属硫酸盐中的一种。
3.根据权利要求2所述的预烧贫锂工艺制备低钴无钴正极材料的方法，其特征在于，所述步骤(1)中前驱体为NixCoyMnz(OH)2、NixCoyMnzCO3、NixCoyMnzO、NixCoyMnzSO4中的一种，其中x、y、z分别为镍钴锰前驱体中镍、钴、锰元素占镍、钴、锰总摩尔量的摩尔比，0≤y≤0.1，0≤x≤1，0≤z≤1。
4.根据权利要求1所述的预烧贫锂工艺制备低钴无钴正极材料的方法，其特征在于，所述步骤(1)中锂源为有机酸锂、烷基醇锂、无机酸锂中的一种。
5.根据权利要求4所述的预烧贫锂工艺制备低钴无钴正极材料的方法，其特征在于，所述烷基醇锂选自乙醇锂、甲醇锂、异丙醇锂、丁醇锂；所述有机酸锂选自乙酸锂、甲酸锂；所述无机酸锂选自LiNO3、LiNO2、Li2CO3、Li2SO4、Li2SO3、LiClO4、LiMnO4。
6.根据权利要求1所述的预烧贫锂工艺制备低钴无钴正极材料的方法，其特征在于，所述步骤(1)中金属比为Li：Me＝(0.8-1.5):1。
7.根据权利要求6所述的预烧贫锂工艺制备低钴无钴正极材料的方法，其特征在于，所述步骤(2)中预烧工艺的条件为：以4-6℃/min的升温速率升温至300℃-750℃，预烧时间为3h-24h。
8.根据权利要求7所述的预烧贫锂工艺制备低钴无钴正极材料的方法，其特征在于，所述步骤(2)中预烧工艺的条件为：以4-6℃/min的升温速率升温至400℃-700℃，预烧时间为4h-10h。
9.根据权利要求8所述的预烧贫锂工艺制备低钴无钴正极材料的方法，其特征在于，所述步骤(3)中再次焙烧的条件为：以4-6℃/min的升温速率升温至750℃-1000℃，再次焙烧时间为6h-12h。
10.一种根据权利要求1-9任一项所述的预烧贫锂工艺制备低钴无钴正极材料的方法的应用，应用于低钴无钴正极材料的制备。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁夏汉尧富锂科技有限责任公司，未经宁夏汉尧富锂科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211204549.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
