[发明专利]一种超高纯GeCl4在审

专利信息
申请号: 202211197989.0 申请日: 2022-09-29
公开(公告)号: CN115477322A 公开(公告)日: 2022-12-16
发明(设计)人: 匡子登;崔丁方;雷华志;彭明清;子光平;缪彦美;李玉章;张阳阳;张虎 申请(专利权)人: 云南驰宏国际锗业有限公司
主分类号: C01G17/04 分类号: C01G17/04
代理公司: 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 代理人: 薛飞
地址: 655011 云南省曲靖*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种超高纯GeCl4制备方法。本发明提供的超高纯GeCl4制备方法,在高纯石英管内镀一层碳膜,碳膜是通过在等离子体中的高纯碳氢化合物离子化而得到,碳膜结构为类金刚石,具有高纯度、高硬度、高弹性模量、高熔点、化学惰性和与基体石英管结合牢固等特点,生产使用过程不会发生脱落、引入杂质等,杜绝高温条件下石英管内杂质进入产品,将区熔锗锭放置在已镀碳膜的石英管内,向石英管内通入高纯Cl2,在石英管外部通过高频感应线圈加热管内金属锗锭,待区熔锗锭温度达到630℃以上后通入Cl2,锗锭与Cl2自发反应生成气态GeCl4,气态GeCl4通过冷凝收集即可得到超高纯GeCl4
搜索关键词: 一种 高纯 gecl base sub
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南驰宏国际锗业有限公司,未经云南驰宏国际锗业有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211197989.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top