[发明专利]一种微观的磁屏蔽装置磁场噪声分析方法在审

专利信息
申请号: 202211178443.0 申请日: 2022-09-26
公开(公告)号: CN115752705A 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 马丹跃;孙博文;翟跃阳;陆吉玺;马彦宁;王耀国;全伟;韩邦成 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G01H17/00 分类号: G01H17/00;G01R33/12;G01N15/02
代理公司: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 代理人: 吴小灿
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种微观的磁屏蔽装置磁场噪声分析方法,通过制备磁屏蔽材料样品,测量磁屏蔽材料的晶粒大小和复数磁导率,构建所述晶粒大小与所述复数磁导率的拟合模型,构建基于磁屏蔽材料晶粒大小的磁屏蔽装置磁场噪声分析模型,测量晶粒大小以分析磁屏蔽装置的磁场噪声,不需要对成型的磁屏蔽装置进行参数测量,可用于低噪声磁屏蔽材料的选择和设计。
搜索关键词: 一种 微观 屏蔽 装置 磁场 噪声 分析 方法
【主权项】:
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