[发明专利]一种微观的磁屏蔽装置磁场噪声分析方法

权利要求书

1.一种微观的磁屏蔽装置磁场噪声分析方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，制备软磁材料样品，所述软磁材料样品的晶粒大小为微米级；

步骤2，测量软磁材料的晶粒大小和复数磁导率；

步骤3，构建所述晶粒大小与所述复数磁导率的拟合模型；

步骤4，构建基于软磁材料晶粒大小的软磁屏蔽装置磁场噪声分析模型；

步骤5，根据软磁屏蔽装置磁场噪声分析模型，通过测量晶粒大小分析软磁屏蔽装置的磁场噪声。

2.根据权利要求1所述的微观的磁屏蔽装置磁场噪声分析方法，其特征在于，所述步骤1中的软磁材料包括以下具有高磁导率和低矫顽力的物质：铁氧体或镍铁系合金或铁硅系合金。

3.根据权利要求1所述的微观的磁屏蔽装置磁场噪声分析方法，其特征在于，所述步骤4中软磁屏蔽装置为球壳形或长方桶形或圆柱桶形。

4.根据权利要求1所述的微观的磁屏蔽装置磁场噪声分析方法，其特征在于，所述步骤3中拟合模型采用以下线性关系式：μ_eff＝a+b·D，其中μ_eff是有效复数磁导率，a和b是拟合参数，D是软磁材料晶粒大小。

5.根据权利要求1所述的微观的磁屏蔽装置磁场噪声分析方法，其特征在于，所述步骤4中软磁屏蔽装置磁场噪声分析模型包括采用以下函数关系式：

其中δB_magnb表示球壳形磁屏蔽装置磁场噪声，μ₀是真空磁导率，k_B是玻尔兹曼常数，T是温度，r是球半径，t是球壳厚度，f是频率，δ_loss是磁损耗角，a和b是拟合参数，D是软磁材料晶粒大小。

6.根据权利要求1所述的微观的磁屏蔽装置磁场噪声分析方法，其特征在于，所述步骤4中软磁屏蔽装置磁场噪声分析模型包括采用以下函数关系式：

其中δB_magnr表示长方桶形磁屏蔽装置磁场噪声，μ₀是真空磁导率，k_B是玻尔兹曼常数，T是温度，r是中心距离，t是桶壁厚度，f是频率，δ_loss是磁损耗角，a和b是拟合参数，D是软磁材料晶粒大小。

7.根据权利要求1所述的微观的磁屏蔽装置磁场噪声分析方法，其特征在于，所述步骤4中软磁屏蔽装置磁场噪声分析模型包括采用以下函数关系式：

其中δB_magnc表示圆柱桶形磁屏蔽装置磁场噪声，μ₀是真空磁导率，k_B是玻尔兹曼常数，T是温度，r是中心距离，t是桶壁厚度，f是频率，δ_loss是磁损耗角，a和b是拟合参数，D是软磁材料晶粒大小，G是圆柱桶型状因子。