[发明专利]增强氮化镓器件的介质膜粘附性PECVD薄膜的方法在审
| 申请号： | 202211157549.2 | 申请日： | 2022-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN115360087A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 胡旭宏 | 申请（专利权）人： | 徐州金沙江半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/778;H01L33/00;H01L33/32;H01L33/44 |
| 代理公司： | 徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙) 32353 | 代理人： | 毕金鹏 |
| 地址： | 221000 江苏省徐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了增强氮化镓器件的介质膜粘附性PECVD薄膜的方法：(1)依次交替开/关沉积介质膜,获得介质膜厚度10‑40nm；(2)然后采用N2O和SiH4连续气流方式沉积介质膜,气体流量比例为1：2到1：10，沉积8‑15分钟，获得SiO |
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| 搜索关键词： | 增强 氮化 器件 介质 粘附 pecvd 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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