[发明专利]增强氮化镓器件的介质膜粘附性PECVD薄膜的方法在审
| 申请号： | 202211157549.2 | 申请日： | 2022-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN115360087A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 胡旭宏 | 申请（专利权）人： | 徐州金沙江半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/778;H01L33/00;H01L33/32;H01L33/44 |
| 代理公司： | 徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙) 32353 | 代理人： | 毕金鹏 |
| 地址： | 221000 江苏省徐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增强 氮化 器件 介质 粘附 pecvd 薄膜 方法 | ||
1.增强氮化镓器件的介质膜粘附性PECVD薄膜的方法，其特征在于，包括下列步骤：
(1)氮化镓器件外延层结构分别为衬底层、缓冲层、氮化镓沟道材料层、AlN隔离层、AlGaN势垒层及帽层，AlGaN势垒层设有金属电极，在AlGaN势垒层表面用脉冲式PECVD沉积一层介质膜，然后依次交替气体开/关，获得介质膜厚度10-40nm；
(2)然后采用连续气流方式沉积介质膜,获得介质膜厚度300-600nm，然后重复步骤(1)进行脉冲沉积介质膜，获得介质膜厚度10-40nm；
(3)在金属电极上增加Pd金属层，Pd与介质膜结合形成PdO，用于增介质膜的质量和粘性，其中金属电极层为金属电极Ti、金属电极Au。
2.如权利要求1所述的增强氮化镓器件的介质膜粘附性PECVD薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(1)中介质膜为SiO2，开启N2O气体，然后关闭N2O气体，开启SiH4气体，然后关闭SiH4气体，依次交替开/关N2O和SiH4沉积SiO2。
3.如权利要求2所述的增强氮化镓器件的介质膜粘附性PECVD薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(1)中开启N2O气体及开启SiH4气体的时间均为5-10s。
4.如权利要求2所述的增强氮化镓器件的介质膜粘附性PECVD薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(1)中N2O气体及SiH4气体流量比例为1：2到1：10,重复交替开关操作10-20次，等离子体射频功率20w-100w。
5.如权利要求2所述的增强氮化镓器件的介质膜粘附性PECVD薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(2)中等离子体射频功率50w-150w，沉积时间8-15分钟。
6.如权利要求2所述的增强氮化镓器件的介质膜粘附性PECVD薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(1)中介质膜为Si3N4,气体流量比例为1：2到1：10，重复交替开关操作10-20次，获得Si3N4厚度10-40nm，其中开启NH3气体和SiH4气体的时间均为5-10s。
7.如权利要求6所述的增强氮化镓器件的介质膜粘附性PECVD薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(2)中可以采用NH3气体和SiH4气体连续气流方式沉积Si3N4,气体流量比例为1：2到1：10，沉积时间16-30分钟，获得Si3N4厚度300-600nm，然后重复进行脉冲沉积Si3N4操作10-20次，获得厚度10-40nm。
8.如权利要求1所述的增强氮化镓器件的介质膜粘附性PECVD薄膜的方法，其特征在于，所述衬底层为硅或蓝宝石或碳化硅。
9.如权利要求1所述的增强氮化镓器件的介质膜粘附性PECVD薄膜的方法，其特征在于，所述缓冲层为氮化铝或氮化镓。
10.如权利要求1所述的增强氮化镓器件的介质膜粘附性PECVD薄膜的方法，其特征在于，所述帽层为氮化硅或氮化镓。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐州金沙江半导体有限公司，未经徐州金沙江半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211157549.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
