[发明专利]制备黑硅的晶圆调平方法在审
| 申请号： | 202211154764.7 | 申请日： | 2022-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN115440645A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 张紫辰;文志东;侯煜;张昆鹏;石海燕;李曼;张喆;王然;岳嵩;薛美;李朋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 苑晨超 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备黑硅的晶圆调平方法，包括：获取晶圆上三个测量点在三维直角坐标系中的坐标；所述三维直角坐标系的其中两个坐标轴水平设置；依据所述三个测量点的三维坐标，计算所述晶圆与三维直角坐标系的至少一条水平坐标轴的夹角；依据所述夹角，控制承载晶圆的承载平台的对应的旋转轴旋转，以使所述晶圆与所述至少一条水平坐标轴平行。本发明提供的制备黑硅的晶圆调平方法，能够将硅片调节至至少与其中一个水平坐标轴平行，从而，至少在单条加工路径的加工过程中无需进行随动即可保持相同的能量密度。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 晶圆调 平方 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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