[发明专利]一种InGaN基探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202211149352.4 | 申请日： | 2022-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN115458625A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/102 | 分类号： | H01L31/102;H01L31/18;H01L31/0304;H01L31/032;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 郑宏谋 |
| 地址： | 517000 广东省河源*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明申请公开了一种InGaN基探测器及其制备方法，通过在衬底和InGaN纳米柱之间设置III‑VI族化合物薄膜的功能层，其中，III‑VI族化合物薄膜具有高载流子迁移率的优点，提升了InGaN基探测器在紫外波段的光吸收能力，从而提升了InGaN基探测器的性能；同时，III‑VI族化合物薄膜调控了衬底和InGaN纳米柱的异质结界面势垒，优化了InGaN异质结的界面接触以及能带结构，促进了InGaN基探测器中光生载流子的快速分离，从而进一步提升了InGaN基探测器的性能。本发明可广泛应用于半导体技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ingan 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
