[发明专利]一种InGaN基探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种InGaN基探测器，其特征在于，包括：

衬底；

功能层，设置在所述衬底的一侧，所述功能层为III-VI族化合物薄膜；

InGaN纳米柱，设置在所述功能层远离所述衬底的一侧；

第一电极层，设置在所述InGaN纳米柱远离所述功能层的一侧；

第二电极层，设置在所述衬底远离所述功能层的一侧。

2.根据权利要求1所述的一种InGaN基探测器，其特征在于，所述功能层所采用的材料中的VI族元素包括硫元素、硒元素和碲元素中的任意一种。

3.根据权利要求2所述的一种InGaN基探测器，其特征在于，所述功能层的厚度为50-300nm。

4.根据权利要求1所述的一种InGaN基探测器，其特征在于，所述InGaN纳米柱的长度为200-400nm，直径为50-80nm。

5.根据权利要求1所述的一种InGaN基探测器，其特征在于，所述InGaN纳米柱采用的InGaN中In组分为5-30％。

6.根据权利要求1所述的一种InGaN基探测器，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层为Ti/Au电极层，所述Ti/Au电极层中Ti电极层的厚度为30-100nm，所述Ti/Au电极层中Au电极层的厚度为50-200nm。

7.一种InGaN基探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

清洗衬底；

在所述衬底的一侧制备功能层，所述功能层为III-VI族化合物薄膜；

在所述功能层远离所述衬底的一侧制备InGaN纳米柱；

在所述InGaN纳米柱远离所述功能层的一侧制备第一电极层；

在所述衬底远离所述功能层的一侧制备第二电极层。

8.根据权利要求7所述的一种InGaN基探测器的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的一侧制备功能层，包括：

采用电子束蒸发镀膜在所述衬底的一侧制备金属层，所述金属层选用的金属材料的元素为III族元素；

以第一粉末为前驱体，采用化学气相沉积使所述金属层反应生成所述功能层，所述第一粉末的材料对应的元素为VI族元素。

9.根据权利要求7所述的一种InGaN基探测器的制备方法，其特征在于，所述在所述功能层远离所述衬底的一侧制备InGaN纳米柱，包括：

对所述功能层进行退火；

采用分子束外延在所述功能层远离所述衬底的一侧制备所述InGaN纳米柱；

完成所述InGaN纳米柱的制备后进行退火。

10.根据权利要求7所述的一种InGaN基探测器的制备方法，其特征在于，所述清洗衬底，包括：

准备所述衬底；

依次采用丙酮、酒精和去离子水对所述衬底进行超声清洗10min；

在所述衬底超声清洗完成后，将所述衬底吹干。