[发明专利]具有强抗冲击力的MOSFET器件及制备方法在审
| 申请号： | 202211119532.8 | 申请日： | 2022-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN115377221A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 袁力鹏;苏毅;常虹;唐呈前;完颜文娟 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 黄小雪 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有强抗冲击力的MOSFET器件及制备方法，涉及半导体功率器件技术领域。包括：第一沟槽，第二沟槽，第一导电外延层，第一层第二导电类型体区，第一层第一导电类型源区和第二层第一导电类型源区；所述第一导电外延层上设置所述第一沟槽和所述第二沟槽；所述第一沟槽和所述第二沟槽之间从下至上依次设置第二导电类型体区、第一层第一导电类型源区和第二层第一导电类型源区；所述第一沟槽与所述第二沟槽之间，所述第一沟槽的一侧和所述第二沟槽的一侧设置接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 冲击力 mosfet 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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