[发明专利]具有强抗冲击力的MOSFET器件及制备方法在审

申请号：	202211119532.8	申请日：	2022-09-14
公开（公告）号：	CN115377221A	公开（公告）日：	2022-11-22
发明（设计）人：	袁力鹏;苏毅;常虹;唐呈前;完颜文娟	申请（专利权）人：	华羿微电子股份有限公司
主分类号：	H01L29/78	分类号：	H01L29/78;H01L21/336
代理公司：	广州三环专利商标代理有限公司 44202	代理人：	黄小雪
地址：	710018 陕西省西安市未央区***	国省代码：	陕西;61
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摘要：
搜索关键词：	具有冲击力 mosfet 器件制备方法
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【说明书】：

本发明公开了具有强抗冲击力的MOSFET器件及制备方法，涉及半导体功率器件技术领域。包括：第一沟槽，第二沟槽，第一导电外延层，第一层第二导电类型体区，第一层第一导电类型源区和第二层第一导电类型源区；所述第一导电外延层上设置所述第一沟槽和所述第二沟槽；所述第一沟槽和所述第二沟槽之间从下至上依次设置第二导电类型体区、第一层第一导电类型源区和第二层第一导电类型源区；所述第一沟槽与所述第二沟槽之间，所述第一沟槽的一侧和所述第二沟槽的一侧设置接触孔。

技术领域

本发明涉及半导体功率器件技术领域，更具体的涉及具有强抗冲击力的MOSFET器件及制备方法。

背景技术

传统功率器件MOSFET(英文为：Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，中文为：金属氧化物半导体场效晶体管)的有源区设计中，目前主要采用几十甚至上百万的不断重复的原胞单元排列组成MOSFET器件的导电功能区域，该区域不仅承载着功率MOSFET的开启，同时也是功率MOSFET承受雪崩冲击时的重要区域，导电功能区域的强壮与否直接决定了器件在线性区的SOA(安全工作区)的宽与窄。

为了增强器件的SOA，需要在器件有源区结构做进一步的改进和优化来改善ZTC(zero temperature coefficient-point，零温度系数点)，其中，ZTC位置指的是器件在常温(如25摄氏度)和高温下(如150摄氏度)转移特性曲线的交叉点位置，位于交叉点下方区域，器件的ID随着温度的增加也不断增加显示为正反馈，为正温度系数，而位于交叉点上方区域，器件的ID随着温度的增加也减小显示为负反馈，为负温度系数。

发明内容

本发明实施例提供具有强抗冲击力的MOSFET器件及制备方法，通过在有源区中集成源极电阻，使得器件的漏源电流形成负反馈，从而达到增强器件SOA宽度的方法。

本发明实施例提供一种MOSFET器件，包括：第一沟槽，第二沟槽，第一导电外延层，第一层第二导电类型体区，第一层第一导电类型源区和第二层第一导电类型源区；

所述第一导电外延层上设置所述第一沟槽和所述第二沟槽；

所述第一沟槽和所述第二沟槽之间从下至上依次设置第二导电类型体区、第一层第一导电类型源区和第二层第一导电类型源区；

所述第一沟槽与所述第二沟槽之间，所述第一沟槽的一侧和所述第二沟槽的一侧设置接触孔。

优选地，还包括第二层第二导电类型体区；

所述第一沟槽的一侧从下至上设置第一层第二导电类型体区、第二层第二导电类型体区和第二层第一导电类型源区；

所述第二沟槽的一侧从下至上设置第一层第二导电类型体区、第二层第二导电类型体区和第二层第一导电类型源区。

优选地，所述接触孔分别为第一接触孔，第二接触孔和第三接触孔；

第一接触孔的一端贯穿第二层第一导电类型源区与第二层第二导电类型体区相接触，且所述第一接触孔的底部设置第一欧姆接触区；

第二接触孔的一端贯穿第二层第一导电类型源区、第一层第一导电类型源区与第一层第二导电类型体区相接触，且所述第二接触孔的底部设置第二欧姆接触区；