[发明专利]一种高速激光器及其制作方法在审
| 申请号： | 202211103499.X | 申请日： | 2022-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN116316069A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 潘钺;刘应军;刘陆萌;易美军 | 申请（专利权）人： | 武汉敏芯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/343;H01S5/12 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 许美红 |
| 地址： | 430014 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高速激光器及其制作方法，该激光器包括衬底以及位于衬底上方的有源层，有源层包括下限制层、量子阱层和上限制层；有源层两侧分别为P型InP层和N型InP层，共同形成横向p‑i‑n结；P型InP层上方为P型InGaAs层，P型InGaAs层上方为P型电极层，N型InP层上方为N型电极层，横向注入电流；有源层上方为光栅层，表面光栅周期设计为激射波长与增益谱峰值波长具有负的失谐，失谐量为10‑20nm。本发明通过采用横向电流注入结构，降低了激光器寄生电容，利于高速调制应用；以及激射波长与增益谱峰值波长采用负的失谐设计提高微分增益从而提高带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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