[发明专利]一种优化雪崩耐量的超结MOSFET结构及制造方法在审
| 申请号： | 202211085475.6 | 申请日： | 2022-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN115394652A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 肖晓军;胡丹丹 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种优化雪崩耐量的超结MOSFET结构及制造方法，在N+衬底上设有N‑外延层，在N‑外延层内设有宽窄相间的P型柱，P型柱顶部设有Pbody区，栅氧化层连接相邻Pbody区，正面设有多晶硅栅极，栅氧化层正面外部包覆有层间介质层，正面上方为金属层。本发明通过在有源区形成CD不同的P型柱来构建非平衡的击穿分布，结合表面N Source的选择性注入，使雪崩电流绝大部分流过无NPN结构区域，避免了MOSFET内寄生NPN结构的开启，该工艺兼容现有超结工艺流程，不需要额外的工艺及光刻mask，可极大提升雪崩能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 雪崩 mosfet 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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