[发明专利]一种优化雪崩耐量的超结MOSFET结构及制造方法

权利要求书

1.一种优化雪崩耐量的超结MOSFET结构的制造方法，其特征在于：

步骤一、在N+衬底上生长一层外延层N-（1）；

步骤二、在外延层N-上刻蚀出深沟槽结构，形成不同尺寸的深沟槽（2），宽的深沟槽与窄的深沟槽交错排列；

步骤三、通过外延的方式对步骤2中的深沟槽进行填充形成P型区（3），通过CMP将表面长于外延层N-的多余的P型区去除；

步骤四、通过PW mask刻蚀并向P型区注入P型杂质硼，在高温下进行Pwell drive in以形成器件的Pbody区（4）；

步骤五、热氧化工艺生长场氧并刻蚀出器件的有源区，干氧氧化生长器件的栅氧化层并淀积多晶硅，通过对多晶硅及栅氧的回刻形成器件的栅氧化层（5）及多晶硅栅极（6），位于外延层N-上方连接相邻的不同宽窄的Pbody区；

步骤六、如图七所示，在窄的Pbody区表面与栅氧化层（5）接触点进行N source区（7）的光刻并离子注入杂质As以形成器件的源极；

步骤七、在栅氧化层及多晶硅栅极表面淀积层间介质层（8）并进行reflow形成平坦的表面，通过接触孔光刻在Pbody区上方刻蚀出器件的接触孔；

步骤八、通过接触孔注入P型杂质，淀积金属形成良好的欧姆接触，通过金属刻蚀形成作为器件的电极的金属层（9）。

2.一种优化雪崩耐量的超结MOSFET结构，其特征在于：

在N+衬底上设有N-外延层（1），在N-外延层（1）内设有宽窄相间的P型柱（3），在窄的P型柱的顶部设有第一Pbody区，在宽的P型柱的顶部设有第二Pbody区，第二Pbody区与第一Pbody区呈间隔设置；

第一Pbody区与第二Pbody区之间的N-外延层的正面上方设置有连接第一Pbody区与第二Pbody区的栅氧化层（5），栅氧化层正面设有多晶硅栅极（6），在第一Pbody区的正面内部与栅氧化层连接处设有N source区（7），栅氧化层正面外部包覆有层间介质层，所述第一Pbody区与第二Pbody区不被层间介质层及多晶硅栅极覆盖的正面上方为金属层（9）。

3.根据权利要求2所述的一种优化雪崩耐量的超结MOSFET结构，其特征在于：

所述第一Pbody区的正面内部与栅氧化层连接处设置的Nsource区为两个。